I condensatori à film sottile YMIN cumplementanu perfettamente u MOSFET G2 CoolSiC™ di Infineon
U MOSFET G2 CoolSiC™ di carburo di siliciu di nova generazione di Infineon hè à l'avanguardia di l'innuvazioni in a gestione di l'energia. I condensatori à film sottile YMIN, cù u so design à bassa ESR, alta tensione nominale, bassa corrente di dispersione, alta stabilità à temperatura è alta densità di capacità, furniscenu un forte supportu per questu pruduttu, aiutendu à ottene alta efficienza, alte prestazioni è alta affidabilità, facendulu una nova suluzione per a cunversione di putenza in i dispositivi elettronichi.
Caratteristiche è Vantaghji di YMINCondensatori à film sottile
ESR bassa:
U cuncepimentu à bassa ESR di i condensatori à film sottile YMIN gestisce efficacemente u rumore d'alta frequenza in l'alimentatori, cumplementendu e basse perdite di commutazione di CoolSiC™ MOSFET G2.
Alta tensione nominale è bassa perdita:
E caratteristiche di alta tensione nominale è di bassa corrente di dispersione di i condensatori à film sottile YMIN migliuranu a stabilità à alta temperatura di CoolSiC™ MOSFET G2, furnendu un supportu robustu per a stabilità di u sistema in ambienti difficili.
Stabilità à alta temperatura:
A stabilità à alta temperatura di i condensatori à film sottile YMIN, cumminata cù a gestione termica superiore di CoolSiC™ MOSFET G2, migliora ulteriormente l'affidabilità è a stabilità di u sistema.
Densità d'alta capacità:
L'alta densità di capacità di i condensatori à film sottile offre una maggiore flessibilità è utilizzazione di u spaziu in a cuncepzione di u sistema.
Cunclusione
I condensatori à film sottile YMIN, cum'è u cumpagnu ideale per u MOSFET CoolSiC™ G2 di Infineon, mostranu un grande putenziale. A cumbinazione di i dui migliora l'affidabilità è e prestazioni di u sistema, furnendu un megliu supportu per i dispositivi elettronichi.
Data di publicazione: 27 di maghju di u 2024